GED erfolgreich auf der PCIM 2015
Auch die diesjährigen Fachmesse PCIM war für GED ein großer Erfolg. Mit viel Resonanz präsentierte das Unternehmen sein ausgefeiltes Leistungsspektrum „Hochstromkonzepte auf Leiterplatten“: Innovative Technologien und neue Materialien bieten bessere, kostenoptimierte Lösungen für erfolgreiche Leistungselektronik-Produkte.
GED war auch in diesem Jahr wieder auf dem Gemeinschaftsstand des ECPE, European Center for Power Electronics, vertreten. Nach den drei Messetagen konnte das Unternehmen ein durchweg positives Fazit ziehen. GED dankt allen Kunden, Interessenten und Lieferanten für die vielen interessanten Gespräche am Stand!
Die Gespräche zeigten deutlich den steigenden Bedarf des Marktes an kompakten, leistungsstärkeren Konzepten für die Leistungselektronik. Branchen wie Antriebstechnik, Energietechnik, Elektromobilität, Automotive und Lichttechnik haben Anwendungen, in denen Signal- und Leistungselektronik weiter zusammenwachsen – auch in Kombination mit Mechatroniklösungen. Hier bietet GED einen Einzel- und Komplettservice für die Entwicklung von leistungs- und kostenoptimierten Lösungen auf Basis von GHC-Hochstromleiterplatten.
Gleich mehrere Anfragen erhielt GED auf der PCIM Europe 2015 zur Erneuerung von Geräten der Leistungselektronik. Viele vorhandene Geräte sind in die Tage gekommen und müssen aus technischen, aber auch aus Kostengründen neu entwickelt werden. Die GHC-Leiterplatten-Lösungen von GED bietet dafür eine hervorragende Basis. GED bietet hierzu mit dem Komplettservice von der Schaltungsentwicklung über das Design bis zur Produktion ein technisch ebenso wie preislich sehr interessantes Lösungen für die Kunden. Auf der Messe zeigte GED am Beispiel der EM-box (Energy-Management-Box) die gelungene Kombination von Möglichkeiten der Systemintegration von Leistungselektronik. Leistungsverteilung auf einer GHC-Powerleiterplatte für 6 x 250 Ampere, Strommesstechnik, Entwärmungskonzept, Anschluss- und Gehäusetechnik wurden bei GED entwickelt. Ein SEPIC Regler in Kombination mit einem Buck-Boost Regler übernimmt die sichere Versorgung des Energy-Management-Systems EM-box.
Ein wichtiges Thema auf der PCIM-Messe war die neue Halbleitertechnologie mit GaN-Transistoren für leistungsstärkere und miniaturisierte Leistungselektronik. Der bisherige Nachteil der GaN-Transistoren, dass sie selbstleitend sind, ist inzwischen technologisch beseitigt. Vorteile gegenüber Silizium und Si-Carbid sind sehr gute Eigenschaften bei hohen Schaltgeschwindigkeiten und -frequenzen, ein sehr niedriger Durchlasswiderstand und eine hohe Durchbruchspannung. GaN erweist sich so als Leistungshalbleitermaterial der nächsten Generation. Eine superflache Gehäuse-Bauform eignet sich besonders für das „Embedding in GHC-Leiterplatten“ und für superflache LED- und OLED-Leuchtenkonzepte.
Die GaN Technology bietet folgende Vorteile:
- Faster TON (100V/ns) and much lower QG*RDSON FOM
- High max Current & Electric Field (high Reliability)
- Higher TJ_MAX (not Die limited; only Package limit)
- Higher Efficiency with higher FSW
- 4x higher Power Density than Si
- Smaller and lighter Form Factors
- Resulting lower system BOM cost
Das nur 0,5mm dicke Gehäuse des GaN Transistors von GAN Systems Inc. basiert auf der patentierten „Island Technology Cell“-Technologie
(Quelle: GAN Inc.)
Mit rund 9.000 Fachbesuchern, 417 Ausstellern und 739 Konferenzteilnehmern zählt die PCIM Europe 2015, die vom 19. bis 21. Mai in Nürnberg stattfand, zu den wichtigsten Veranstaltung im Bereich der Leistungselektronik. Auch in diesem Jahr präsentierte sich GED zusammen mit namhaften Forschungs- und Entwicklungsfirmen auf dem Gemeinschaftstand des ECPE (European Center for Power Electronics).
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